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公司动态
Microchip推出集成MOSFET驱动器的高电压模拟降压PWM控制器
来源:    发布日期:2013-09-05    已有 1476 人浏览
Microchip推出集成MOSFET驱动器的高电压模拟降压PWM控制器

2012-12-12

        全球领先的整合单片机、模拟器件和闪存专利解决方案的供应商——Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)宣布,推出全新电源转换控制器系列及其首个功率MOSFET器件系列。该全新脉宽调制(PWM)控制器与配套的低品质因数(FOM)MOSFET产品系列组合支持高效的DC/DC电源转换设计,涵盖了广泛的消费电子和工业应用。这两个全新系列彰显了Microchip对于其实现更高电压、更高效率及行业趋向的更小电源转换系统这一承诺的显著进步。

        观看这些新产品的演示介绍,请浏览:http://www.microchip.com/get/L0L6

        MCP19035是一个基于模拟信号的小型PWM控制器产品系列,集成了同步MOSFET驱动器,具有出色的瞬态性能。MCP19035器件可在4.5 - 30VDC的宽范围内工作,开关频率为300 kHz,并提供工厂可调节的死区设置,有助于设计人员优化众多MOSFET器件的性能。在与Microchip的MCP87xxx MOSFET或任何低FOM的MOSFET组合时,MCP19035系列能够实现高效的(>96%)DC/DC电源转换解决方案。

        MCP87xxx系列高速MOSFET具有非常低的FOM,采用业界标准的5×6 mm和3.3×3.3 mm PDFN封装。新推出的MCP87022、MCP87050和MCP87055器件分别可提供2.2 mΩ、5.0 mΩ和5.5 mΩ的导通电阻。这些全新MOSFET有助于实现高效的电源转换设计。

        Microchip模拟与接口产品部营销副总裁Bryan J. Liddiard表示:“MCP19035系列PWM控制器扩大了设计工程师使其应用达到电源转换要求可选择的范围。其广泛的工作范围和集成的高功率同步驱动器能够支持那些需要一个基于模拟信号的快速控制器的高效、高功率密度解决方案。这些器件与Microchip首款高速MOSFET产品相结合,可实现效率超过96%的快速、高效电源转换解决方案。”

        MCP87xxx MOSFET系列与Microchip现有的专注于SMPS的PIC®单片机及dsPIC33“GS”数字信号控制器产品组合也相辅相成。Microchip的MCP14700同步MOSFET驱动器非常适合驱动高速、低FOM的MOSFET。当由单片机驱动时,两者可构成一个灵活的高性能电源转换解决方案。

开发工具支持

        适用MCP19035系列的MCP19035 300 kHz评估板(部件编号ADM00434)现可通过Microchip销售代表和microchipDIRECT订购。该评估板包含Microchip的全新MOSFET。与MCP87xxx MOSFET系列一同发布的一款基于Excel的损耗计算器及其用户指南也已面市。

封装与供货

        MCP19035和MCP87xxx系列现已提供样片并投入量产。MCP19035系列采用3×3 mm 10引脚DFN封装。MCP87022和MCP87050采用5×6 mm 8引脚PDFN封装,MCP87055采用3.3×3.3 mm 8引脚PDFN封装。

       

 

 

罗姆开发出高温环境下亦无热失控的超低IR肖特基势垒二极管

2012-07-12

        罗姆近日面向车载、电源设备,开发出高温环境下亦可使用的超低IR肖特基势垒二极管“RBxx8系列”。与传统的车载用整流二极管相比,可降低约40%的功耗,非常有助于电动车(EV)和混合动力车(HEV)等要求更低功耗的电路节能。
本产品已从1月份开始销售样品(样品价格50~200日元/个),从5月份开始以月产100万个的规模进行量产。关于生产基地,前期工序在罗姆ROHM Wako Co., Ltd.(日本冈山县),后期工序在ROHM-Wako Electronics (Malaysia) Sdn. Bhd.(马来西亚),ROHM Integrated Systems (Thailand) Co.,Ltd.(泰国)、ROHM Korea Corporation(韩国)进行。

                                                                        
 
        高温环境下使用的车载、电源设备的电路中,由于担心热失控,因此普遍采用整流二极管和快速恢复二极管(FRD)。但是由于整流二极管和FRD的VF值较高,因此很难实现EV和HEV所要求的更低功耗。在这种背景下,VF值较低的肖特基势垒二极管(SBD)在高温环境下亦可安全使用的产品的开发需求逐年高涨。

                                                                           

        此次,罗姆通过采用最适合高温环境的金属,实现了业界顶级低IR化。与传统的SBD相比,IR降低到约1/100,使高温环境下的使用成为可能。

         由此,整流二极管和FRD的替换成为可能,VF特性得以大幅改善(与传统的FRD相比,VF降低约40%)。另外,更低VF可以抑制发热,成功实现小型化封装,有助于不断电子化、小型化需求高涨的EV、HEV节省空间。
罗姆今后还会进一步推进整流二极管的替换带来的低VF化、小型化,不断为提高车载、电源设备的效率做出贡献。
 
<特点>
1)   与传统产品相比,损耗约降低40%
与一般用于车载的FRD相比,VF降低约40%。有助于降低功耗。

                       
2)   小型封装有助于节省空间
与传统产品相比,可实现小一号尺寸的封装设计。

3)   高温环境下亦无热失控
实现了超低IR,因此Ta=150℃也不会发生热失控,可在车载等高温环境下使用。

                      

<规格>

             

<术语解说>
肖特基势垒二极管(Schottky-Barrier Diode:SBD)
使金属和半导体接触从而形成肖特基结,利用其可得到整流性(二极管特性)的二极管。具有“正向压降少、开关速度快”的特点。主要用于开关电源等。

快速恢复二极管(Fast Recovery Diode: FRD)
正向施加的电压向反向切换时,反向电流瞬间流过。这种电流到零之间的时间―即反向恢复时间快的一种二极管。
 
VF ( Forward Voltage)
是指正向电流经过时二极管产生的电压值。数值越小功耗越少。
 
IR(Reverse Current)
是指施加反向电压时发生的反向电流。数值越小功耗越少。
 
热失控
反向损耗超过散热,损耗进一步增加,产品温度呈指数级上升的状态。

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